Chih-Tang Sah - Chih-Tang Sah

Chih-Tang "Tom" Sah ( chinês simplificado :萨 支 唐; chinês tradicional :薩 支 唐; pinyin : Sà Zhītáng ; nascido em novembro de 1932 em Pequim , China) é um engenheiro eletrônico sino-americano . Ele é mais conhecido por inventar a lógica CMOS ( MOS complementar ) com Frank Wanlass na Fairchild Semiconductor em 1963. O CMOS agora é usado em quase todos os dispositivos semicondutores de integração de muito grande escala (VLSI) modernos .

Ele é o Pittman Eminent Scholar e Professor de Pesquisa de Pós-Graduação na Universidade da Flórida desde 1988. Ele foi Professor de Física e Professor de Engenharia Elétrica e de Computação, emérito , na Universidade de Illinois em Urbana-Champaign , onde lecionou por 26 anos anos e orientou 40 alunos ao doutorado. grau em engenharia eléctrica e na física e 34 MS EE teses. Na Universidade da Flórida , orientou 10 teses de doutorado em EE . Ele publicou cerca de 280 artigos em jornais e apresentou cerca de 170 palestras convidadas e 60 artigos contribuídos na China, Europa, Japão, Taiwan e nos Estados Unidos sobre física, tecnologia e evolução de transistores.

Ele escreveu um livro didático de três volumes intitulado Fundamentals of Solid State Electronics (FSSE, 1991). FSSE foi traduzido para o chinês em 2003.

Biografia

Sah é um membro da ilustre Família Fuzhou Sah, descendentes de Sadula, oficial da dinastia Yuan , em Fuzhou, China. Seu pai, Pen-Tung Sah, foi um acadêmico da Academia Sinica e foi presidente da Xiamen University nas décadas de 1920 e 1930. C.-T. Sah também tinha um irmão Chih-Han Sah, que era matemático e professor da Universidade Estadual de Nova York em Stony Brook .

Sah recebeu dois diplomas de BS em 1953 em Engenharia Elétrica e Engenharia Física da Universidade de Illinois e o MS e o Ph.D. graduou-se pela Stanford University em 1954 e 1956, respectivamente. Sua pesquisa de tese de doutorado foi sobre tubos de ondas viajantes sob a tutela de Karl R. Spangenberg.

Sua carreira industrial em eletrônica de estado sólido começou com William Shockley em 1956 e continuou na Fairchild Semiconductor Corporation em Palo Alto de 1959 a 1964 até se tornar professor de física e engenharia elétrica na Universidade de Illinois por 25 anos (1962-1988) . Sob a gestão de Gordon E. Moore , Victor H. Grinich e Robert N. Noyce em Fairchild, Sah dirigiu um Departamento de Física da Fairchild de 64 membros no desenvolvimento das tecnologias de fabricação de primeira geração (oxidação, difusão, crescimento de epitaxia e condutor de metal deposição de filme fino) para produção de volume de transistores bipolares de silício e MOS e tecnologia de circuito integrado, incluindo máscara de óxido para difusão de impurezas, transistor Si MOS estável , circuito CMOS , origem do ruído de baixa frequência, modelo de transistor MOS usado no primeiro circuito simulador, resistência integrada de filme fino e processo epitaxial de Si para produção de circuito integrado bipolar.

Depois que o MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico ou transistor MOS) foi demonstrado pela primeira vez por Mohamed Atalla e Dawon Kahng da Bell Labs no início de 1960, Sah introduziu a tecnologia MOS na Fairchild Semiconductor com seu tetrodo controlado por MOS fabricado no final 1960. Em 1963, Sah inventou o processo de fabricação de dispositivo semicondutor CMOS (MOS complementar) com Frank Wanlass na Fairchild. O CMOS agora é usado em quase todos os dispositivos LSI e VLSI modernos .

Ele foi o editor fundador (1991) da Série Internacional sobre os Avanços em Eletrônica e Tecnologia de Estado Sólido (ASSET), que publicou três títulos por autores convidados (1990) e está atualmente publicando seis monografias (2007-2008) por autores convidados em compact modelagem de dispositivos para projeto de circuitos integrados auxiliado por computador, tudo com a World Scientific Publishing Company, Cingapura . Sua pesquisa atual (2007) tem sido em modelos de transistores MOS desde que ele foi elaborado em outubro de 2004 por seus jovens colegas para se juntar a eles, após 40 anos de ausência após o 1964-Sah, 1965-Sah-Pao e 1966-Pao-Sah artigos de periódicos sobre modelos de transistores MOS, a fim de ajudar ainda mais no desenvolvimento de modelos compactos para projeto auxiliado por computador de circuitos integrados MOS nanométricos .

Por contribuições em física e tecnologia de transistores, ele recebeu o prêmio de melhor artigo Browder H. Thomson (IRE-1962) para um autor com menos de 30 anos, o Prêmio JJ Ebers em Dispositivos Eletrônicos (1981) e o Prêmio Jack Morton (1989), todos da o IEEE , o Certificado de Mérito do Franklin Institute , o First Achievement Award em Alta Tecnologia da Asian-American Manufacturer Association em San Jose , CA (1984) (co-recebedor com Morris Chang ), o Quarto Prêmio de Pesquisa da Universidade Anual do Semicondutor Industry Association (1998), co-recebedor em tecnologia de circuito integrado (com Yung Cheng Fung) em bioengenharia do primeiro Prêmio Pioneer de reconhecimento do Committee-of-100 (uma organização de cidadãos sino-americanos), o segundo prêmio anual de Distinguished Lifetime Achievement Award de o Engenheiro Asiático-Americano do Ano patrocinado pelo Instituto Chinês de Engenharia / EUA (2003) e o grau de Doutor Honoris Causa da Universidade de Leuven , Bélgica (1975) e a Doctora Honorária te da Chiaotung University, Taiwan , ROC (2004).

Ele foi listado em uma pesquisa do Institute for Scientific Information como um dos 1000 cientistas mais citados do mundo durante 1963-1978. Ele é um Life Fellow da American Physical Society , do Franklin Institute e do IEEE, um Fellow da American Association for the Advancement of Science , um membro da US National Academy of Engineering (1986), da Academia Sinica em Taipei (1998) ) e a Academia Chinesa de Ciências de Pequim (2000). Ele foi nomeado Professor Honorário da Universidade de Tsinghua (2003), da Universidade de Pequim (2003) e da Universidade de Xiamen (2004) da China.

Honras e prêmios

• 2004 - Doutorado Honorário, Universidade Nacional de Chiao-Tung
• 2003 - Prêmio Distinguished Lifetime Achievement, Chinese Institute of Engineers USA
• 2002 - Prêmio de Reconhecimento de Pioneiros do Comitê 100
• 2000 - Eleito para a Academia Chinesa de Ciências
• 1999 - Acadêmico, Academia Sinica de Taiwan
• 1999 - Prêmio de Pesquisa da Semiconductor Industry Association University
• 1998 - Prêmio de Pesquisa Universitária, US Semiconductor Industry Association
• 1995 - Fellow, American Association of Advanced of Science
• 1995 - IEEE Life Fellow
• 1994 - Prêmio Alumni Achievement, Universidade de Illinois
• 1989 - Prêmio IEEE Jack Morton
• 1986 - Eleito membro da National Academy of Engineering em 1986 por suas contribuições fundamentais para a caracterização, desenvolvimento e engenharia de diodos, transistores e circuitos integrados de silício.
• 1981 - Prêmio JJ Ebers, IEEE Electron Device Society
• 1975 - Doctoris Honoris Causa, KU Leuven
• 1975 - Certificado de Mérito do Franklin Institute
• 1971 - Fellow, American Physical Society
• 1969 - Fellow, Institute of Electrical & Electronic Engineers
• 1000 cientistas mais citados do mundo, 1865–1978, Institute for Scientific Information

Patentes

• 3.204.160 - Dispositivo de semicondutor controlado de potencial de superfície, agosto de 1965
• 3.280.391 - Transistor de alta frequência, outubro de 1966
• 3.243.669 - Dispositivo de semicondutor controlado de potencial de superfície, março de 1969
• Patente Pendente - Metodologia DCIV para Determinação Rápida de Confiabilidade de Transistores, com A. Neugroschel
• 4.343.962 - Célula solar emissora de junção alta e baixa induzida por carga de óxido, com JG Fossum, SC Pao, FA Lindholm, 1982

Referências